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    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設備
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    "產(chǎn)品中心
    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    AVP IBE System
    - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
    
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
    
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
    
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
    - 廣泛適用所有材料刻蝕，包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。 
    
-  成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運行的薄膜刻蝕系統(tǒng)  
    
- 歐美工業(yè)生產(chǎn)驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝  
    
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性 
    
- 純物理刻蝕，采用惰性氣體為工藝氣體，環(huán)保、無污染，應用廣泛
    AVP HR PVD System
    -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
    
-高速率反應濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
    
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
    
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
    
-高靶材使用率（>8
    -高濃度離子輔助的傾角濺射（Directional Sputtering）
    
-高速率反應濺射，如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
    
-優(yōu)異的薄膜厚度均勻性（1σ<1%），裹覆率（Step Coverage ~50%）
    
-基片背面氦氣冷卻，基片溫度（<50°C）
    
-高靶材使用率（>80%）
    AVP 4T PVD SYSTEM
    -各種薄膜、精密光學薄膜，及高溫（Max. 1000℃）
沉積的解決方案
    
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應等薄膜沉積工藝
    
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運行的薄膜沉積系統(tǒng)
    
-廣泛應用于歐美光學器件、MEMS、存儲等工業(yè)界的薄膜沉積
    -各種薄膜、精密光學薄膜，及高溫（Max. 1000℃）
沉積的解決方案
    
-各種成熟的、2-8英寸的RF、DC、Pulsed DC、反應等薄膜沉積工藝
    
-成熟、可靠、低成本、高產(chǎn)能、7/24連續(xù)運行的薄膜沉積系統(tǒng)
    
-廣泛應用于歐美光學器件、MEMS、存儲等工業(yè)界的薄膜沉積
    "支持與服務
    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    "關于艾微普
    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備
    艾微普公司是基于美國硅谷科技技術團隊成立的半導體設備公司，在浙江海寧創(chuàng)立。公司聚集了多位海內(nèi)外資深微納加工及半導體設備、工藝、材料專家，專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備。

    
公司的核心技術和產(chǎn)品包括物理氣相沉積/磁控濺射（PVD）、離子束刻蝕機（IBE）、反應離子刻蝕機（RIE）、電子束蒸鍍機等系列MEMS、半導體、新能源器件制造專用設備。公司自創(chuàng)立以來，已經(jīng)獲得幾十項國家專利。
    公司總部
    中國浙江省嘉興市海寧市海寧大道8號科技綠洲8號樓1層
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